深圳市泓京科技有限公司
步进电机技术
AGC
公司介绍
深圳市泓京科技有限公司，专业电子元器件代理商，产品范围：碳化硅（Sic)MOSFET/二极管，MOSFET场效应，CAN/CAN-FD/LIN芯片，固态电容系列，固态光电继电器。
我们业务范围：新能源汽车，光伏逆变，储能产品，充电桩，工控板，仪器仪表，通信设备，医疗设备以及PD快充等等，我们多年来于原厂技术密切合作，可为客户解决技术难题，提供有效的解决方案，包括产品前端设计选料减低客户的生产成本！
The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored ...
E4435/ME4435-G，P沟道30V (D-S) MOSFET一般说明ME4435是P沟道逻辑增强型功率场，效应晶体管采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗。应用● 笔记本电源管理● 便携设备● ...
The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to ...
The ME20P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to mi...
ME50P06 / ME50P06-G，P沟道mos管 60V（D-S）MOSFETME50P06-G介绍：ME50P06是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗...
型号：ME15N10-G类型：N沟道场效应管耗散功率（PD）：34.7 W漏极电流（ID）：【管壳温度（Tc）＝25 ℃】14.7 A漏极和源极电压（VDSS）：100 V漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.1 Ω封装：TO-252ME15N10一般说明ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻...
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